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在計(jì)算機(jī)領(lǐng)域，存儲器的速度始終是一個(gè)關(guān)鍵的問題。當(dāng)前，NVMe (Non-Volatile Memory Express) 硬盤被廣泛地應(yīng)用于高速存儲中。由于NVMe硬盤的接口速度相當(dāng)快，因此它有助于實(shí)現(xiàn)更高效的數(shù)據(jù)讀取和寫入。在Linux中，使用多個(gè)NVMe硬盤可以有效地提高系統(tǒng)的性能和吞吐量。本文將介紹如何在Linux系統(tǒng)中有效地使用多個(gè)NVMe硬盤。
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1. 創(chuàng)建分區(qū)和文件系統(tǒng)
我們需要創(chuàng)建分區(qū)和文件系統(tǒng)。我們可以使用fdisk或其他工具來創(chuàng)建分區(qū)。然后，我們需要使用mkfs命令來創(chuàng)建文件系統(tǒng)。我們將使用xfs文件系統(tǒng)作為例子。在創(chuàng)建文件系統(tǒng)時(shí)，我們需要為每個(gè)NVMe硬盤創(chuàng)建一個(gè)單獨(dú)的文件系統(tǒng)。以下是創(chuàng)建文件系統(tǒng)的命令：
sudo mkfs.xfs /dev/nvme0n1p1
sudo mkfs.xfs /dev/nvme1n1p1
sudo mkfs.xfs /dev/nvme2n1p1
sudo mkfs.xfs /dev/nvme3n1p1
此命令將創(chuàng)建4個(gè)xfs文件系統(tǒng)，分別掛載在/dev/nvme0n1p1，/dev/nvme1n1p1，/dev/nvme2n1p1和/dev/nvme3n1p1目錄下。您也可以選擇其他文件系統(tǒng)，例如ext4或Btrfs。
2. 創(chuàng)建Rd陣列
接下來，我們可以使用Mdadm命令來創(chuàng)建一個(gè)Rd陣列。在這種情況下，我們將創(chuàng)建一個(gè)RD 0陣列，該陣列旨在提高讀取和寫入數(shù)據(jù)的速度。以下是創(chuàng)建RD陣列的步驟：
sudo mdadm –create /dev/md0 –level=0 –rd-devices=4 /dev/nvme0n1p1 /dev/nvme1n1p1 /dev/nvme2n1p1 /dev/nvme3n1p1
sudo mdadm –detl /dev/md0
此命令將創(chuàng)建一個(gè)名為/dev/md0的RD 0陣列，使用4個(gè)NVMe硬盤作為存儲設(shè)備。您可以使用“–detl”標(biāo)志來查看RD陣列的詳細(xì)信息。
3. 掛載RD陣列
一旦創(chuàng)建了RD陣列，我們需要將其掛載。我們可以創(chuàng)建一個(gè)目錄，例如/rd，然后將陣列掛載在該目錄下。以下是掛載RD陣列的步驟：
sudo mkdir /rd
sudo mount /dev/md0 /rd
此命令將創(chuàng)建/rd目錄，并將RD陣列掛載在該目錄下。
4. 添加RD陣列到/etc/fstab
為了在系統(tǒng)啟動時(shí)自動掛載RD陣列，我們需要將其添加到/etc/fstab。以下是編輯/etc/fstab文件的命令：
sudo nano /etc/fstab
添加以下行到文件中：
/dev/md0 /rd xfs defaults 0 0
5. 使用RD盤
現(xiàn)在，我們已經(jīng)成功地創(chuàng)建并掛載了RD陣列，我們可以將數(shù)據(jù)寫入該陣列，并從陣列中讀取數(shù)據(jù)以提高系統(tǒng)的性能和吞吐量。如果有多個(gè)NVMe硬盤可用，您可以使用相同的過程創(chuàng)建多個(gè)RD陣列，并將它們掛載在不同的目錄下，以便在不同的應(yīng)用程序中使用它們。
在Linux中，使用多個(gè)NVMe硬盤是提高系統(tǒng)性能的一種方法。本文介紹了如何創(chuàng)建分區(qū)和文件系統(tǒng)、創(chuàng)建RD陣列、掛載RD陣列并將其添加到/etc/fstab。使用這些步驟，您可以有效地使用多個(gè)NVMe硬盤來提高系統(tǒng)的性能和吞吐量。
相關(guān)問題拓展閱讀：
- Linux內(nèi)核dvfs之cpufreq配置
Linux內(nèi)核dvfs之cpufreq配置
本文基于 RockPi 4A 單板 Linux4.4 內(nèi)核介紹 OPP Table 。
內(nèi)核中將頻咐游率、電壓的相關(guān)配置放在 DTSI 文件中，這些配置信息組成的節(jié)點(diǎn)被稱為物簡遲 OPP Table（Operating Performance Points） 。
定義文件： arch/arm64/boot/dts/rockchip/rk3399-opp.dtsi ,內(nèi)容如下：
上面節(jié)點(diǎn)中的相關(guān)屬性含義如下：
1、 opp-shared ：表示 opp-table1 是小核的各 CPU 共用。
2、 rockchip,temp-hysteresis ：遲滯參數(shù)，防止頻繁進(jìn)入高溫或低溫，單位：毫攝氏度。
3、 rockchip,low-temp ：低溫閾值。小于該值時(shí)，進(jìn)入低溫，大于‘該值+遲滯參數(shù)’時(shí)，恢復(fù)常溫。
4、 rockchip,low-temp-min-volt ：低溫下更低電壓，單位：微伏。
5、 nvmem-cells ：從 eFUSE 中讀取相關(guān)信息值（小核漏電流）。
6、 rockchip,pvtm-voltage-sel ：min-pvtm（單位KHz）、max-pvtm（單位KHz）和 voltage-selector (用于匹配 opp 節(jié)點(diǎn)中 opp-microvolt-L* 屬性的序列號)。例：pvtm值為：0 ~使用 opp-microvolt-L0 ，~使用 opp-microvolt-L1
7、 rockchip,pvtm-freq ：時(shí)鐘頻率（KHz），在獲取 pvtm 的頻率前，先設(shè)置 CPU 頻率。
8、 rockchip,pvtm-volt ：電壓（微伏），在獲取 pvtm 的頻率前，先設(shè)置 CPU 電壓。
9、 rockchip,pvtm-ch ： PVTM 通道，格式
10、 rockchip,pvtm-sample-time ： PVTM 采樣時(shí)間，單位：毫秒。
11、 rockchip,pvtm-number ： PVTM 采樣個(gè)數(shù)。
12、 rockchip,pvtm-error ：允許采樣數(shù)據(jù)之間的誤差。
13、 rockchip,pvtm-ref-temp ：參考溫度。
14、 rockchip,pvtm-temp-prop ： PVTM 隨溫度變化的比例系數(shù)，格式。
15、 rockchip,thermal-zone ：獲取溫度的 thermal-zone 。
16、 opp-microvolt-L* ：電壓(微伏)，格式
17、 clock-latency-ns ：完成變頻需要的時(shí)間，單位：納秒。
在 RK3399 中，除了配置上述小核的 opp table 外，還設(shè)置了大核（ cluster1_opp ）、 gpu(gpu_opp_table) 等的相關(guān)值。查看命令如下：
注：
CPU PVTM(Process Voltage Temperature Monitor) 是一個(gè)位于 CPU 附近，能罩李反應(yīng)出不同芯片之間性能差異的模塊，受工藝，電壓和溫度 的影響。
參考：
Documentation/devicetree/bindings/cpufreq/cpufreq-rockchip.txt
Documentation/devicetree/bindings/cpufreq/cpufreq-rockchip.txt
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